光刻胶粘度
1、光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂 ，是指通过紫外光 、电子束 、离子束、X射线等的照射或辐射 ，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体 。黏滞性/黏度（Viscosity）是衡量光刻胶流动特性的参数 。
2 、-3000cp。hd4100光刻是一种对光敏感的混合液体，黏度强，其值在1000-3000cp之间。光刻胶又称光致抗蚀剂 ，是指通过紫外线 、电子束、离子束 、X射线等的照射或辐射 ，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料 。
3 、光刻胶厚度与它的黏度有关 。胶膜太薄，易生成针孔 ，抗蚀能力差；太厚则不易彻底显影 ，同时会降低分辨率，光刻胶的实际厚度与它的粘度有关 ，并与甩胶机的旋转速度的平方根成反比 ，涂胶方法有旋转涂覆法、刷涂法 、浸渍法 、喷涂法等。
cpo和光刻胶的区别
1、这是通过 CPU 能够导电的基础 。其次就轮到光刻胶了，在硅片上面增加了二氧化硅之后 ，随后在其上镀上一种称为“光刻胶 ”的材料 。这种材料在经过紫外线照射后会变软 、变粘。然后就是光刻掩膜 ，在我们考虑制造工艺前很久，就早有一非常聪明的美国人在脑子里面设计出了 CPU ，并且想尽方法使其按他们的设计意图工作 。
2 、CPU制造工艺是将硅片上的晶体管排列和连接起来的过程 ，以形成具有复杂功能的处理器 。这一过程从一块直径约20厘米的硅片开始，硅片是从类似干香肠的硅柱中通过激光切割得到的。硅片上会镀上一层二氧化硅绝缘层，这是为了保证CPU能够导电 。
3、在晶圆上涂覆光刻胶 ，并通过曝光 、显影等步骤 ，将电路图案转移到晶圆上 。这是制造CPU电路的关键步骤之一。蚀刻：使用化学或物理方法，将未被光刻胶保护的晶圆部分去除 ，形成电路图案 。重复 、分层：上述影印和蚀刻步骤会多次重复 ，以构建出多层的复杂电路结构 。每一层都包含不同的电路元件和连接。
光阻 、光阻剂 、光刻胶是同一个意思吗?
没有区别。光刻胶也被称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光 、电子束 、离子束、X射线等光照或辐射 ，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料 ，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工 。
光刻胶（photoresist ，也作光致抗蚀剂 ，光阻），是一种由聚合物树脂（resin） ，光敏化合物（photoactive compound）和溶剂等混合而成的胶状液体 ，从成份上来讲，都是碳基有机化合物 。
光刻胶是一大类具有光敏化学作用（或对电子能量敏感）的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist ，又翻译为抗蚀剂 、光阻等 。光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面 。光刻胶只是一种形象的说法 ，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。
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